（来源：SEMI）
2月12日，三星电子官方宣布，已开始向客户交付其最新款高带宽存储芯片HBM4，启动大规模生产。
根据官方介绍，三星此次直接采用第六代10nm级DRAM工艺（1c），并结合4nm逻辑制程，从量产初期便实现稳定良率与行业领先性能，且无需额外重新设计。
性能方面，HBM4稳定处理速度达到11.7Gbps，较行业主流水平8Gbps高出约 46%，相比上一代HBM3E最高9.6Gbps提升约1.22倍。最高性能可扩展至 13Gbps，以应对AI模型规模扩大带来的数据瓶颈问题。单堆栈内存带宽提升至最高3.3TB/s，较HBM3E提高2.7倍。
三星电子首席技术官宋载赫透露，三星目前正在开发zHBM，其核心是将HBM堆叠成3D结构：将内存堆栈直接放置在XPU之上，可实现数以万计的I/O通道，大幅提升带宽，布局的改动也意味着延迟仅有原来的1/4。
