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四川和晟达电子科技申请用于铜钼结构的长寿命蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法专利,解决了铜钼膜层十分常见的倒角问题

信息来源:ioocoo.com   时间: 2024-12-16  浏览次数:72


本文源自:金融界

金融界2024年10月26日消息,国家知识产权局信息显示,四川和晟达电子科技有限公司申请一项名为“一种用于铜钼结构的长寿命蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法”的专利,公开号CN 118814167 A,申请日期为2024年6月。

专利摘要显示,本发明提供一种用于铜钼结构的长寿命蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法,所述长寿命蚀刻液按照重量百分比计,包括如下组分:氧化剂3‑12%;有机酸螯合剂5‑11%;表面活性剂0.5‑2%;去离子水余量;所述有机酸螯合剂包括丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸、甘氨酸、苯丙氨酸、色氨酸、组氨酸、精氨酸中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的蚀刻液具有较长的铜寿命,具有较高的稳定性,并且解决了铜钼膜层十分常见的倒角问题。


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